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BU323ZG中文资料

BU323ZG图片

BU323ZG外观图

  • 大小:127.6KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: DARLINGTON TRANSISTOR, SOT-93; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:350V; Power Dissipation Pd:150W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:500; Operating Temperature Range:-65°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-218; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Av Current Ic:10A; Collector Emitter Voltage Vces:1.6V; Continuous Collector Current Ic Max:10A; Current Ic Continuous a Max:10A; Current Ic hFE:5A; Device Marking:BU323Z; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Typ:2MHz; Hfe Min:150; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-218; Power Dissipa...
  • 标准包装:30
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):10A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):350V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.7V @ 250mA,10A
  • 电流 - 集电极截止(最大):100µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):500 @ 5A,4.6V
  • 功率 - 最大:150W
  • 频率 - 转换:2MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-218-3
  • 供应商设备封装:SOT-93
  • 包装:管件
  • 其它名称:BU323ZG-NDBU323ZGOS

BU323ZG供应商

更新时间:2023-01-01 14:12:41
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